真實(shí)的電阻實(shí)際上包含了三個(gè)參數(shù):
低頻時(shí),電阻對(duì)阻抗起到了決定性作用,隨著頻率的升高,寄生電容起主導(dǎo)地位,阻抗隨著頻率的增加而減小,隨著達(dá)到某一頻率點(diǎn),電阻的引線電感起主導(dǎo)作用, 整個(gè)電阻呈感性,頻率增加,阻抗增加。其中第二個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)我們叫自諧振頻率,對(duì)于電阻來說,這一點(diǎn)代表著電阻阻抗值最低的一點(diǎn),也是電阻最接近電阻數(shù)值的一點(diǎn)。
真實(shí)的電容也包含了一些參數(shù):
C電容值代表了整個(gè)電容元件最主要的部分。
因?yàn)橹瞥屉娙菰斫Y(jié)構(gòu)的原因會(huì)存在的Rp介質(zhì)損耗電阻。
因?yàn)椴煌娙莸男问讲煌陀幸_的存在,有一個(gè)ESR等效串聯(lián)電阻和ESL等效串聯(lián)電感。
在容性區(qū)域,電容起到了決定性的作用,整個(gè)元件的阻抗隨著頻率的增加而減小,到了某一個(gè)頻率點(diǎn)后,
ESL等效串聯(lián)電感起到了決定性的作用,整個(gè)元件的阻抗就隨著頻率的增加而增加,這個(gè)時(shí)候元件就是處在感性區(qū)域,也就是不能再當(dāng)做電容來使用了。
而阻抗發(fā)生轉(zhuǎn)折的這個(gè)點(diǎn),就是電容的自諧振頻率。
最后看電感
L就是電感的主要部分。
在繞電感的過程中,會(huì)形成一個(gè)引線電阻R0。
和相鄰電圈之間存在的一個(gè)寄生電容C0。
低頻的時(shí)候,導(dǎo)線電阻R0決定了整個(gè)電感的阻抗,隨著頻率的增加,電感開始主導(dǎo)整個(gè)元件的阻抗值,阻抗隨著頻率的增加而增加。
當(dāng)頻率持續(xù)增加到某一頻率點(diǎn)后,寄生電容C0的作用開始起主導(dǎo)作用,這時(shí)阻抗隨著頻率的增加而減小,電感也轉(zhuǎn)變?yōu)殡娙?。這里,第二個(gè)頻率點(diǎn)也是電感的自諧振頻率,這一點(diǎn)上,電感的頻率也達(dá)到了最高值。
不難發(fā)現(xiàn),這些模型揭示了元件在不同頻率下的行為特點(diǎn),幫助我們準(zhǔn)確預(yù)測(cè)和調(diào)整電路性能。特別是在處理高頻信號(hào)時(shí),元件的寄生參數(shù)對(duì)電路行為產(chǎn)生顯著影響,因此必須仔細(xì)考慮這些因素以實(shí)現(xiàn)最佳設(shè)計(jì)。
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